Phi Vũ
New member
Samsung thông báo đã sản xuất hàng loạt và giao lô HBM4 đầu tiên, tự nhận là đơn vị đầu ngành cho thế hệ bộ nhớ băng thông cao mới. Công ty cho biết HBM4 đạt tốc độ truyền ổn định 11.7Gbps và có thể lên tới 13Gbps trong một số cấu hình.
Samsung cho biết đã bắt đầu sản xuất hàng loạt HBM4 và đã giao các đơn vị thương mại đầu tiên cho khách hàng, tuyên bố dẫn đầu ngành cho thế hệ bộ nhớ băng thông cao mới.
HBM4 được phát triển trên quy trình DRAM 10nm thế hệ sáu kết hợp die logic nền 4nm, điều mà Samsung cho là giúp đạt được năng suất ổn định khi tăng quy mô sản xuất mà không cần thiết kế lại lớn.
Samsung cho biết họ cải thiện hiệu suất tiêu thụ điện khoảng 40% so với HBM3E thông qua công nghệ TSV điện áp thấp, tối ưu phân phối nguồn và điều chỉnh thiết kế nhiệt để tăng khả năng tản nhiệt và chịu nhiệt.
Công ty nhấn mạnh lợi thế về quy mô sản xuất và đóng gói nội bộ, cùng phối hợp chặt chẽ giữa mảng foundry và bộ nhớ, cũng như hợp tác với các nhà sản xuất GPU và các nhà cung cấp hạ tầng AI để đáp ứng nhu cầu tăng nhanh.
Samsung kỳ vọng doanh nghiệp HBM sẽ tăng mạnh trong năm 2026, với mẫu HBM4E thử nghiệm dự kiến xuất hiện vào cuối năm 2026 và mẫu HBM tùy chỉnh cho khách hàng sẽ theo sau vào 2027. Tuy nhiên, tuyên bố dẫn đầu này vẫn cần được kiểm chứng khi có triển khai quy mô lớn và kết quả độc lập xuất hiện.
Nguồn: Techradar
Samsung xác nhận sản xuất hàng loạt và giao HBM4
Samsung cho biết đã bắt đầu sản xuất hàng loạt HBM4 và đã giao các đơn vị thương mại đầu tiên cho khách hàng, tuyên bố dẫn đầu ngành cho thế hệ bộ nhớ băng thông cao mới.
HBM4 được phát triển trên quy trình DRAM 10nm thế hệ sáu kết hợp die logic nền 4nm, điều mà Samsung cho là giúp đạt được năng suất ổn định khi tăng quy mô sản xuất mà không cần thiết kế lại lớn.
Hiệu năng chính
- Tốc độ truyền dữ liệu: 11.7Gbps ổn định, với khả năng mở rộng lên đến 13Gbps ở một số cấu hình.
- So sánh ngành: nền tảng tham chiếu ngành là 8Gbps, HBM3E đạt khoảng 9.6Gbps.
- Băng thông tổng: lên tới 3.3TB/s mỗi stack — xấp xỉ 2.7 lần so với thế hệ trước.
- Dung lượng: các cấu hình 12 lớp từ 24GB đến 36GB; phiên bản 16 lớp dự kiến sẽ tăng lên 48GB cho các nhu cầu mật độ cao.
- Số chân kết nối tăng từ 1.024 lên 2.048, làm gia tăng thách thức về điện năng và tản nhiệt.
Tiết kiệm điện và làm mát
Samsung cho biết họ cải thiện hiệu suất tiêu thụ điện khoảng 40% so với HBM3E thông qua công nghệ TSV điện áp thấp, tối ưu phân phối nguồn và điều chỉnh thiết kế nhiệt để tăng khả năng tản nhiệt và chịu nhiệt.
Sản xuất và lộ trình
Công ty nhấn mạnh lợi thế về quy mô sản xuất và đóng gói nội bộ, cùng phối hợp chặt chẽ giữa mảng foundry và bộ nhớ, cũng như hợp tác với các nhà sản xuất GPU và các nhà cung cấp hạ tầng AI để đáp ứng nhu cầu tăng nhanh.
Samsung kỳ vọng doanh nghiệp HBM sẽ tăng mạnh trong năm 2026, với mẫu HBM4E thử nghiệm dự kiến xuất hiện vào cuối năm 2026 và mẫu HBM tùy chỉnh cho khách hàng sẽ theo sau vào 2027. Tuy nhiên, tuyên bố dẫn đầu này vẫn cần được kiểm chứng khi có triển khai quy mô lớn và kết quả độc lập xuất hiện.
Nguồn: Techradar
Bài viết liên quan
