AI Crazy
New member
Intel và SoftBank (qua Saimemory) hợp tác phát triển Z-Angle Memory — kiến trúc DRAM xếp chồng nhằm cạnh tranh với HBM của Samsung và SK Hynix. Dự án nhắm tới mẫu thử vào đầu 2028 và thương mại hóa khoảng năm 2029, với mục tiêu tăng dung lượng và giảm tiêu thụ điện đáng kể.
Z-Angle được mô tả là dựa trên nghiên cứu nối liên kết DRAM đa lớp trước đây của Intel. Mục tiêu kỹ thuật là đạt dung lượng gấp 2–3 lần so với HBM hiện tại đồng thời giảm tiêu thụ điện khoảng 40–50% so với sản phẩm cùng loại.
Lộ trình công bố: mẫu thử dự kiến vào đầu 2028 và thương mại hóa hướng đến năm 2029. Trong giai đoạn mẫu thử, SoftBank được cho là đầu tư khoảng 3 tỷ yên (khoảng 19 triệu USD), trong khi Intel đóng góp công nghệ nhiều hơn là tiền vốn.
Ứng dụng mục tiêu là các trung tâm dữ liệu AI quy mô lớn, nơi mật độ băng thông và tiêu thụ năng lượng có tác động lớn đến chi phí vận hành. Saimemory nhấn mạnh tính cạnh tranh về chi phí là yêu cầu cốt lõi, dù chi tiết giá bán chưa được tiết lộ.
Thách thức lớn vẫn còn: Z-Angle sẽ phải đối mặt với bài toán quy mô sản xuất, tỷ lệ lỗi, năng suất và xây dựng hệ sinh thái xung quanh. Samsung và SK Hynix hiện đang dẫn đầu thị trường HBM, và đến khi Z-Angle vào sản xuất hàng loạt, các đối thủ nhiều khả năng đã tiến thêm vài thế hệ HBM.
Vấn đề lịch sử cũng là cảnh báo: Intel từng có Optane/3D XPoint, cuối cùng đóng cửa mảng Optane vào năm 2022 và ghi nhận khoản khấu hao hàng tồn kho 559 triệu USD. Dù Z-Angle về mặt kỹ thuật khác biệt, bài học về chi phí và việc đưa công nghệ mới vào thị trường vẫn rất đáng lưu ý.
Bối cảnh quốc gia: dự án phù hợp với tham vọng của SoftBank và Nhật Bản muốn gia tăng năng lực bán dẫn nội địa, thu hẹp khoảng trống sau khi ngành DRAM của Nhật từng suy giảm trước áp lực cạnh tranh toàn cầu.
Kết luận: Z-Angle Memory là một bước tham vọng có thể mang lại lợi thế về dung lượng và hiệu năng năng lượng cho trung tâm dữ liệu AI, nhưng hành trình từ mẫu thử đến chiếm lĩnh thị trường vẫn còn nhiều rủi ro và phụ thuộc vào năng lực đưa sản phẩm vào sản xuất hàng loạt và cạnh tranh về chi phí.
Nguồn: Techradar
Z-Angle Memory: mục tiêu và lộ trình
Intel và SoftBank (thông qua công ty Saimemory do SoftBank hậu thuẫn) xác nhận hợp tác phát triển Z-Angle Memory, một kiến trúc DRAM xếp chồng theo chiều dọc thiết kế dành cho khối lượng công việc AI và điện toán hiệu năng cao.Z-Angle được mô tả là dựa trên nghiên cứu nối liên kết DRAM đa lớp trước đây của Intel. Mục tiêu kỹ thuật là đạt dung lượng gấp 2–3 lần so với HBM hiện tại đồng thời giảm tiêu thụ điện khoảng 40–50% so với sản phẩm cùng loại.
Lộ trình công bố: mẫu thử dự kiến vào đầu 2028 và thương mại hóa hướng đến năm 2029. Trong giai đoạn mẫu thử, SoftBank được cho là đầu tư khoảng 3 tỷ yên (khoảng 19 triệu USD), trong khi Intel đóng góp công nghệ nhiều hơn là tiền vốn.
Ứng dụng mục tiêu là các trung tâm dữ liệu AI quy mô lớn, nơi mật độ băng thông và tiêu thụ năng lượng có tác động lớn đến chi phí vận hành. Saimemory nhấn mạnh tính cạnh tranh về chi phí là yêu cầu cốt lõi, dù chi tiết giá bán chưa được tiết lộ.
Thách thức lớn vẫn còn: Z-Angle sẽ phải đối mặt với bài toán quy mô sản xuất, tỷ lệ lỗi, năng suất và xây dựng hệ sinh thái xung quanh. Samsung và SK Hynix hiện đang dẫn đầu thị trường HBM, và đến khi Z-Angle vào sản xuất hàng loạt, các đối thủ nhiều khả năng đã tiến thêm vài thế hệ HBM.
Vấn đề lịch sử cũng là cảnh báo: Intel từng có Optane/3D XPoint, cuối cùng đóng cửa mảng Optane vào năm 2022 và ghi nhận khoản khấu hao hàng tồn kho 559 triệu USD. Dù Z-Angle về mặt kỹ thuật khác biệt, bài học về chi phí và việc đưa công nghệ mới vào thị trường vẫn rất đáng lưu ý.
Bối cảnh quốc gia: dự án phù hợp với tham vọng của SoftBank và Nhật Bản muốn gia tăng năng lực bán dẫn nội địa, thu hẹp khoảng trống sau khi ngành DRAM của Nhật từng suy giảm trước áp lực cạnh tranh toàn cầu.
Kết luận: Z-Angle Memory là một bước tham vọng có thể mang lại lợi thế về dung lượng và hiệu năng năng lượng cho trung tâm dữ liệu AI, nhưng hành trình từ mẫu thử đến chiếm lĩnh thị trường vẫn còn nhiều rủi ro và phụ thuộc vào năng lực đưa sản phẩm vào sản xuất hàng loạt và cạnh tranh về chi phí.
Nguồn: Techradar
Bài viết liên quan
